次世代半導体を支える多元系窒化物ヘテロエピタキシー(三好実人)

研究シーズ紹介

電気・機械工学

三好実人 (教授) 研究室ウェブサイトはこちら

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持続的な半導体技術の発展に向けて、ワイドバンドギャップ窒化物半導体による多様な薄膜多層構造の形成、ならびにそれを用いた光・電子デバイス応用について、実験とシミュレーションを駆使した研究開発を実施しています。

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持続的な半導体技術の発展に向けて、ワイドバンドギャップ窒化物半導体による多様な薄膜多層構造の形成、ならびにそれを用いた光・電子デバイス応用について、実...